【物性】ダイヤモンド電子放出デバイスの高性能化の鍵を理論的に解明―産総研

1 ：サイコな猫又さん ◆Espeon/LhY：2013/09/14(土) 21:54:01.26 ID:ztgq12IF0

産総研は第一原理計算によって化学修飾されたダイヤモンド表面付近の原子レベルの構造が
電子の放出効果に重要な役割であるのを突き止めた。
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2013/pr20130913/pr20130913.html

理系ニュース貼り付け所
http://blogban.net/test/read.cgi/rikei/1367075813/

ちょっとした解説
・ダイヤモンドの表面を水素原子で覆いダイヤモンドに電気を流すとダイヤモンド中の電子は
真空に飛び出すことによりエネルギー的に安定しようとして自然に電子が漏れ出る現象が確認されている。
・この現象をシミュレーションで解析した結果、表面付近の電子のポテンシャル変調(エネルギーのムラ)が
大きく影響していることがわかった。
・今後、ケイ素（Si）や他の半導体では作ることができない新しい原理の電子デバイスの開発に応用が期待される。

3 ：番組の途中ですがステマサイトへの転さいきんしです：2013/09/14(土) 22:08:15.40 ID:ztgq12IF0

>>2
侮るなかれ炭素は酸素雰囲気下でなければ常圧では溶けないし
昇華は約3900Kなのでかなりもちます

関連ページ
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2012/pr20121210/pr20121210.html
ダイヤモンド半導体デバイスの用途として超高電圧でのスイッチ素子がよく挙げられます
研究開発が進めば送電ロスが少なくなりますね

4 ：番組の途中ですがステマサイトへのてんさい禁しです：2013/09/14(土) 22:13:05.81 ID:ztgq12IF0

>>3
失敬、「酸素雰囲気下」ではなく「反応させなければ（=真空雰囲気下）」ですね